GIS特高頻局部放電測(cè)試方法

特高頻檢測(cè)原理

在GIS中發(fā)生局部放電時(shí)會(huì)產(chǎn)生電磁波，而GIS的金屬外殼會(huì)將這種電磁波屏蔽掉一大部分，不過仍有小部分會(huì)通過金屬殼體的絕緣盆或者觀察窗傳播出去頻率高達(dá)數(shù)GHz，而且上升時(shí)間內(nèi)有幾個(gè)納秒。可以將探頭設(shè)置于工作狀態(tài)中的GIS的絕緣盆，對(duì)局部放電活動(dòng)進(jìn)行檢測(cè)。

特高頻檢測(cè)部位

GIS每一個(gè)氣室的絕緣盆或觀察窗處。

GIS局放檢測(cè)判斷

a) 首先根據(jù)相位圖譜特征判斷測(cè)量信號(hào)是否具備典型放電圖譜特征或與背景或其他測(cè)試位置有明顯不同，若具備，繼續(xù)如下分析和處理：排除外界環(huán)境干擾，將傳感器放置于絕緣盆上檢測(cè)信號(hào)與在空氣中檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行比較若一致并且信號(hào)較小，則基本可判斷為外部干擾。若不一樣或變大，則需進(jìn)一步檢測(cè)判斷。

b) 檢測(cè)相鄰間隔的信號(hào)，根據(jù)各檢測(cè)間隔的幅值大小（即信號(hào)衰減特性）初步定位局放部位。

c) 必要時(shí)可使用工具把傳感器綁置于絕緣盆處進(jìn)行長時(shí)間檢測(cè)，時(shí)間不少于15分鐘，進(jìn)一步分析峰值圖形、和三維檢測(cè)圖形，綜合判斷放電類型。

儀器本身具備放電分析參考，可根據(jù)放電特征分析放電類型。在條件具備時(shí)，還應(yīng)用超聲波局放儀進(jìn)行的定位。